Cinquantamila.it La storia raccontata da Giorgio Dell'Arti

Il silicio ha le ore contate nei processori. Il futuro si chiama grafene, il materiale artificiale ottenuto in laboratorio a partire dalla grafite e costituito da uno strato di un solo atomo di molecole di carbonio. A intravederne le potenzialità come conduttore furono i suoi stessi scopritori, i premi Nobel Andrej Gejm e Konstantin Novoselov, che fin da subito (era il 2004) lo testarono proprio in elettronica. Restano però ancora alcune cose da capire su questo materiale letteralmente bidimensionale, come ad esempio la differenza di conducibilità in base alla forma che si dà al transistor. Hanno iniziato a colmare questa lacuna Charlie Johnson, professore di Fisica molecolare all’Università della Pennsylvania, e alcuni ricercatori che hanno tagliato dei nano-fiocchi di grafene misurando la capacità conduttiva e scoprendo variazioni interessanti. Ha trovato ad esempio conferma empirica la convinzione che sovrapponendo due strati aumentino notevolmente le performance. E gli strumenti di misurazione dicono che in ogni nano-fiocco - composto da soli 5 atomi per strato - ogni singolo atomo si è dimostrato in grado di gestire
un microampere di corrente. Sembra poco ma solo perché si fa fatica a ragionare in atomi, in realtà è un risultato migliaia di volte superiore a quello del silicio. «L’obiettivo stesso per cui il grafene e gli altri materiali bidimensionali vengono studiati attualmente è ottenere performance molto migliori del silicio standard a cui siamo abituati», conferma Marija Drndjic, co-autrice della ricerca, «ed essere in grado di realizzare circuiti su scala molto più piccola». E per quest’ultimo aspetto il grafene è fatto apposta: nato in laboratorio da un microscopio e assemblabile quasi a piacimento, è molto flessibile. Il che lo rende ideale per i supporti che l’industria vuole sempre più elastici e ricurvi. Prossimamente, quando i chip avranno dimensioni calcolabili nell’ordine delle decine di atomi, il grafene sarà anche nei nostri computer.
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